半導(dǎo)體的作用精選(九篇)

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第1篇：半導(dǎo)體的作用范文

著名的教育家蘇霍姆林斯基說過：“集體是教育的工具”。確實(shí)，一個優(yōu)良的班集體積極進(jìn)取，全面發(fā)展，必將對每一個學(xué)生的個體發(fā)展起著巨大的潛移默化的教育作用和激勵作用。而要建設(shè)一個優(yōu)秀班集體是非常艱巨的，關(guān)鍵要靠班級的強(qiáng)大的凝聚力作后盾。那如何增加班級的凝聚力呢？

下面我就一學(xué)期來我在班級管理中如何加強(qiáng)班級凝聚力，粗略談?wù)勛约旱囊恍┳龇ǎ?/p>

一、以“家”為教育主題

家是容納，家是關(guān)愛，家是歸宿，家是每個人心中的陽光，奉獻(xiàn)著七色光芒。臨行密密縫，意恐遲遲歸?！奔沂撬寄詈蜏剀啊！安耖T聞犬吠，風(fēng)雪夜歸人?！奔沂菧厍楹椭洹！霸旅餍窍?，烏鵲南飛?！笔钦也坏郊业钠鄾龊蜏S落。“繞樹三匝，何枝可依?！笔钦也坏郊业拿糟蛡?。茅屋為秋風(fēng)所破，是失去家的傷心和憐惜。家是一輪照在冬日的陽光，使貧病交迫的人感受到了人間的溫暖；家是一柄撐在雨夜的小雨傘，使漂泊異鄉(xiāng)的人得到了親情的蔭庇。

認(rèn)識到家的重要作用，在平時處處以家為重要的教育主題。例如：我們的值日表上寫的是“初一2班是我家，環(huán)境衛(wèi)生靠大家”，在此引導(dǎo)下無論哪個同學(xué)值日的時候都會很認(rèn)真。

在家的教育思想的引導(dǎo)下，同學(xué)們的集體榮譽(yù)感也大大增強(qiáng)。開學(xué)初在班級文化建設(shè)中，我們所有的同學(xué)都把集體當(dāng)作自己的家去建設(shè)，有從家里拿花瓶的、圖畫的，有搞設(shè)計(jì)的等。

二、要想使這個家具有很強(qiáng)凝聚力，班主任要以身作則，做得正，行得直，使自己在學(xué)生中樹立威信，讓學(xué)生尊重你、支持你

班主任每天和學(xué)生接觸的最多，所以班主任不只是對他們進(jìn)行語言教育，更重要的是用自己的行動為他們做出榜樣，使學(xué)生耳濡目染。比如，不少學(xué)生都有隨手亂扔廢紙的不良習(xí)慣，開始我沒有一味的去批評，去指責(zé)，而是說“咱們家怎么這么臟啊”然后就彎腰撿起廢紙，送到紙簍，同學(xué)們聽到和看到老師的行為頓時很慚愧。以后很少有人再這樣做了，正所謂“話說百遍，不如手做一遍?！?/p>

三、要想使這個家和睦相處、其樂融融，班主任必須真心對待每一名學(xué)生

通過班主任的工作，使我感觸到，班主任愛學(xué)生，首先必須尊重學(xué)生。尊重學(xué)生要以信任學(xué)生和理解學(xué)生為前提。能將學(xué)生看作是一個平等的對象來看待。古人韓愈就有“弟子不必不如師，師不必賢于弟子，聞道有先后，術(shù)業(yè)有專攻，如是而已！”的說法。班主任不要以老師自居，動輒就訓(xùn)斥、挖苦、諷刺學(xué)生。人都是有自尊的，老師要像保護(hù)自己的眼睛一樣保護(hù)學(xué)生的自尊心。對學(xué)生要公平，一視同仁，不能因?yàn)閷W(xué)生成績的好差、相貌的美丑、經(jīng)濟(jì)條件的好差而對學(xué)生另眼相看。對學(xué)生要始終表現(xiàn)出關(guān)注和熱情，巧妙地對學(xué)生進(jìn)行獎勵和批評。這樣同學(xué)們就會覺得在這個集體中有溫暖、有希望，從而更加熱愛這個大家庭。

四、要使這個家充滿朝氣，奮發(fā)向上，重要的一點(diǎn)，班級必須具有共同的奮斗目標(biāo)

第2篇：半導(dǎo)體的作用范文

關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體，超晶格，集成電路，電子器件

 

1.半導(dǎo)體材料的概念與特性

當(dāng)今，以半導(dǎo)體材料為芯片的各種產(chǎn)品普遍進(jìn)入人們的生活，如電視機(jī)，電子計(jì)算機(jī)，電子表，半導(dǎo)體收音機(jī)等都已經(jīng)成為我們?nèi)粘Ｋ豢扇鄙俚募矣秒娖?。半?dǎo)體材料為什么在今天擁有如此巨大的作用，這需要我們從了解半導(dǎo)體材料的概念和特性開始。

半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一類物質(zhì)，在某些情形下具有導(dǎo)體的性質(zhì)。半導(dǎo)體材料廣泛的應(yīng)用源于它們獨(dú)特的性質(zhì)。首先，一般的半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率隨溫度的升高迅速增大，各種熱敏電阻的開發(fā)就是利用了這個特性；其次，雜質(zhì)參入對半導(dǎo)體的性質(zhì)起著決定性的作用，它們可使半導(dǎo)體的特性多樣化，使得PN結(jié)形成，進(jìn)而制作出各種二極管和三極管；再次，半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)會因光照引起變化，光敏電阻隨之誕生；一些半導(dǎo)體具有較強(qiáng)的溫差效應(yīng)，可以利用它制作半導(dǎo)體制冷器等；半導(dǎo)體基片可以實(shí)現(xiàn)元器件集中制作在一個芯片上，于是產(chǎn)生了各種規(guī)模的集成電路。這種種特性使得半導(dǎo)體獲得各種各樣的用途，在科技的發(fā)展和人們的生活中都起到十分重要的作用。

2.半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程

半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，也擁有著一段長久的歷史。在20世紀(jì)初期，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，使半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究得到重大突破。50年代末，薄膜生長技術(shù)的開發(fā)和集成電路的發(fā)明，使得微電子技術(shù)得到進(jìn)一步發(fā)展。60年代，砷化鎵材料制成半導(dǎo)體激光器，固溶體半導(dǎo)體材料在紅外線方面的研究發(fā)展，半導(dǎo)體材料的應(yīng)用得到擴(kuò)展。1969年超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研究成功，使得半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)與制造從“雜志工程”發(fā)展到“能帶工程”，將半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用推向了一個新的領(lǐng)域。90年代以來隨著移動通信技術(shù)的飛速發(fā)展，砷化鎵和磷化銦等半導(dǎo)體材料得成為焦點(diǎn)，用于制作高速、高頻、大功率及發(fā)光電子器件等；近些年，新型半導(dǎo)體材料的研究得到突破，以氮化鎵為代表的先進(jìn)半導(dǎo)體材料開始體現(xiàn)出其超強(qiáng)優(yōu)越性，被稱為IT產(chǎn)業(yè)新的發(fā)動機(jī)。

3.各類半導(dǎo)體材料的介紹與應(yīng)用

半導(dǎo)體材料多種多樣，要對其進(jìn)一步的學(xué)習(xí)，我們需要從不同的類別來認(rèn)識和探究。通常半導(dǎo)體材料分為：元素半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、固溶體半導(dǎo)體、非晶半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體、超晶格半導(dǎo)體材料。不同的半導(dǎo)體材料擁有著獨(dú)自的特點(diǎn)，在它們適用的領(lǐng)域都起到重要的作用。

3.1元素半導(dǎo)體材料

元素半導(dǎo)體材料是指由單一元素構(gòu)成的具有半導(dǎo)體性質(zhì)的材料，分布于元素周期表三至五族元素之中，以硅和鍺為典型。硅在在地殼中的含量較為豐富，約占25%，僅次于氧氣。硅在當(dāng)前的應(yīng)用相當(dāng)廣泛，它不僅是半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體器件和硅太陽能電池的基礎(chǔ)材料，而且用半導(dǎo)體制作的電子器件和產(chǎn)品已經(jīng)大范圍的進(jìn)入到人們的生活，人們的家用電器中所用到的電子器件80%以上元件都離不開硅材料。鍺是稀有元素，地殼中的含量較少，由于鍺的特有性質(zhì)，使得它的應(yīng)用主要集中于制作各種二極管，三極管等。而以鍺制作的其他器件如探測器，也具備著許多的優(yōu)點(diǎn)，廣泛的應(yīng)用于多個領(lǐng)域。

3.2化合物半導(dǎo)體材料

通常所說的化合物半導(dǎo)體多指晶態(tài)無機(jī)化合物半導(dǎo)體，即是指由兩種或兩種以上元素確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體性質(zhì)?；衔锇雽?dǎo)體材料種類繁多，按元素在元素周期表族來分類，分為三五族（如砷化鎵、磷化銦等），二六族（如硒化鋅），四四族（如碳化硅）等。如今化合物半導(dǎo)體材料已經(jīng)在太陽能電池、光電器件、超高速器件、微波等領(lǐng)域占據(jù)重要的位置，且不同種類具有不同的性質(zhì)，也得到不同的應(yīng)用。。

3.3固溶體半導(dǎo)體材料

固溶體半導(dǎo)體材料是某些元素半導(dǎo)體或者化合物半導(dǎo)體相互溶解而形成的一種具有半導(dǎo)體性質(zhì)的固態(tài)溶液材料，又稱為混晶體半導(dǎo)體或者合金半導(dǎo)體。隨著每種成分在固溶體中所占百分比（X值）在一定范圍內(nèi)連續(xù)地改變，固溶體半導(dǎo)體材料的各種性質(zhì)（尤其是禁帶寬度）將會連續(xù)地改變，但這種變化不會引起原來半導(dǎo)體材料的晶格發(fā)生變化.利用固溶體半導(dǎo)體這種特性可以得到多種性能的材料。

3.4非晶半導(dǎo)體材料

非晶半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體特性的非晶體組成的材料，如α-硅、α-鍺、α-砷化鎵、α-硫化砷、α-硒等。。這類材料，原子排列短程有序，長程無序，又稱無定形半導(dǎo)體，部分稱作玻璃半導(dǎo)體。非晶半導(dǎo)體按鍵合力的性質(zhì)分為共價(jià)鍵非晶半導(dǎo)體和離子鍵非晶半導(dǎo)體兩類，可用液相快冷方法和真空蒸發(fā)或?yàn)R射的方法制備。在工業(yè)上，非晶半導(dǎo)體材料主要用于制備像傳感器、太陽能電池薄膜晶體管等非晶半導(dǎo)體器件。

3.5有機(jī)半導(dǎo)體材料

有機(jī)半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于金屬和絕緣體之間，具有熱激活電導(dǎo)率且電導(dǎo)率在10-10～100S·cm的負(fù)一次方范圍內(nèi)的有機(jī)物，如萘蒽、聚丙烯和聚二乙烯苯以及堿金屬和蒽的絡(luò)合物等.其中聚丙烯腈等有機(jī)高分子半導(dǎo)體又稱塑料半導(dǎo)體。有機(jī)半導(dǎo)體可分為有機(jī)物、聚合物和給體-受體絡(luò)合物三類。相比于硅電子產(chǎn)品，有機(jī)半導(dǎo)體芯片等產(chǎn)品的生產(chǎn)能力較差，但是擁有加工處理更方便、結(jié)實(shí)耐用、成本低廉的獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)。目前，有機(jī)半導(dǎo)體材料及器件已廣泛應(yīng)用于手機(jī)，筆記本電腦，數(shù)碼相機(jī)，有機(jī)太陽能電池等方面。

3.6超晶格微結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料

超晶格微結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料是指按所需特性設(shè)計(jì)的能帶結(jié)構(gòu)，用分子束外延或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積等超薄層生產(chǎn)技術(shù)制造出來的具有各種特異性能的超薄膜多層結(jié)構(gòu)材料。由于載流子在超晶格微結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體中的特殊運(yùn)動，使得其出現(xiàn)許多新的物理特性并以此開發(fā)了新一代半導(dǎo)體技術(shù)。。當(dāng)前，對超晶格微結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用依然在研究之中，它的發(fā)展將不斷推動許多領(lǐng)域的提高和進(jìn)步。

4.半導(dǎo)體材料的發(fā)展方向

隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展和各種電子器件、產(chǎn)品等要求不斷的提高，半導(dǎo)體材料在未來的發(fā)展中依然起著重要的作用。在經(jīng)過以Si、GaAs為代表的第一代、第二代半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程后，第三代半導(dǎo)體材料的成為了當(dāng)前的研究熱點(diǎn)。我們應(yīng)當(dāng)在兼顧第一代和第二代半導(dǎo)體發(fā)展的同時，加速發(fā)展第三代半導(dǎo)體材料。目前的半導(dǎo)體材料整體朝著高完整性、高均勻性、大尺寸、薄膜化、集成化、多功能化方向邁進(jìn)。隨著微電子時代向光電子時代逐漸過渡，我們需要進(jìn)一步提高半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的研究，開創(chuàng)出半導(dǎo)體材料的新領(lǐng)域。相信不久的將來，通過各種半導(dǎo)體材料的不斷探究和應(yīng)用，我們的科技、產(chǎn)品、生活等方面定能得到巨大的提高和發(fā)展！

參考文獻(xiàn)

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第3篇：半導(dǎo)體的作用范文

關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體；光電信息功能材料；研究與創(chuàng)新

DOI：10.16640/ki.37-1222/t.2016.03.218

0 前言

從遠(yuǎn)古到現(xiàn)代，從石器時代到如今的信息時代，歷史的發(fā)展表明信息科學(xué)技術(shù)發(fā)展的先導(dǎo)和基礎(chǔ)是半導(dǎo)體信息功能材料的進(jìn)步，伴隨著時展的特征，我們可以很容易的分析出，光電信息功能材料在方方面面深刻的影響著人類的生產(chǎn)和生活方式?，F(xiàn)如今，隨著光電信息功能材料的不斷普及以及各行各業(yè)的的綜合應(yīng)用，其技術(shù)得到了光速的更新，例如其信息的存儲已不再受低級別的限制，其存儲量已被提高到KT級別，當(dāng)然為了使之更好地適應(yīng)社會，發(fā)揮出更大的作用，生產(chǎn)商與使用者對光電信息功能材料的研究與創(chuàng)新從未停止。光電信息功能材料的發(fā)展，同樣也與國家生產(chǎn)力的發(fā)展有著密切的聯(lián)系，它是國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展的根本保障之一。對于目前正處在快速發(fā)展中的我國來說，大力發(fā)展半導(dǎo)體光電信息功能材料十分必要。

1 半導(dǎo)體光電信息材料簡述

科學(xué)技術(shù)之所以得到不斷發(fā)展的原因之一，便是有著信息研究材料的支持，人類對不同材料的研究與創(chuàng)新，是科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展，科學(xué)規(guī)律不斷修正完善的基礎(chǔ)。20世紀(jì)60～70年代，光導(dǎo)纖維材料和以砷化鎵為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體激光器的發(fā)明，是人們進(jìn)入了光纖通信，高速、寬帶信息網(wǎng)絡(luò)的時代。半導(dǎo)體光電材料――半導(dǎo)體是一種介于絕緣體導(dǎo)體之間的材料，半導(dǎo)體光電材料可以將光能轉(zhuǎn)化為電能，同樣也可以將電能轉(zhuǎn)化為光能，并且可以處理加工和擴(kuò)大光電信號。在當(dāng)今社會，其應(yīng)用正在逐步得到普及。半導(dǎo)體信息光電材料，對于我們來說并不陌生，其存在于我們的日常生活中，并且無時無刻的不在影響著我們，所以我們應(yīng)正確的認(rèn)識半導(dǎo)體信息光電材料，并且可以為半導(dǎo)體光電信息材料的發(fā)展貢獻(xiàn)出自己的力量。

2 半導(dǎo)體光電信息材料研究的必要性

2.1 電子材料研究的意義

量子論為人們研究電子在原子中的運(yùn)動規(guī)律提供了重要依據(jù)，其主要作用是揭示了原子最外層電子的運(yùn)動規(guī)律方面，正是由于此方面研究取得了初步的進(jìn)展，從而極大地促進(jìn)了有色合金，不銹鋼等金屬材料的發(fā)現(xiàn)于研究。此外，半導(dǎo)體材料的開發(fā)，是得電子信息技術(shù)得大了極大地發(fā)展，并且逐步興盛起來，于是出現(xiàn)了我們現(xiàn)在正在普遍應(yīng)用的采用電子學(xué)器件小型化及電子回路集成化等科學(xué)技術(shù)制造而成的電器，極大地方便了我們的生活。

2.2 光學(xué)材料研究的意義

70年代光纖技術(shù)的發(fā)展，又引起了一輪新的技術(shù)浪潮，光學(xué)材料的研究正是在此時得到了大力發(fā)展，光學(xué)材料的研究極大地促進(jìn)了光纖技術(shù)的進(jìn)步，進(jìn)而光纖技術(shù)的迅速發(fā)展，又帶動了信息技術(shù)的革新，這使得研究材料的范圍逐步的被擴(kuò)大。于是，多媒體電能與光纖通信技術(shù)二者逐漸的結(jié)合起來，綜合應(yīng)用，從而極大地提高了網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的發(fā)展速度，大容量的存儲，大范圍的交流與傳輸通道，在很大程度上減少了時間與空間對多媒體信息交流的限制。

2.3 技術(shù)興國的意義

在當(dāng)前信息高能時代，發(fā)展對半導(dǎo)體光電信息的研究，在大的方面，能在很大的程度上，幫助我國提高科技水平，進(jìn)而提高國際地位，爭取在國際科技方面的話語權(quán)，在小的具體方面，它能幫助政府改善人民生活水平，提高人民生活質(zhì)量，因此不管于大于小，發(fā)展對半導(dǎo)體光電信息功能材料的研究十分必要。

3 半導(dǎo)體光電信息材料研究研究進(jìn)展

雖然當(dāng)代國際信息技術(shù)水平在不斷的發(fā)展，各國的科技水平都在提高，但是相對于國際水平或者其他發(fā)達(dá)國家來說，我國在半導(dǎo)體光電信息材料的研究方面還是相對落后的。我國在其功能材料的研究方面的問題主要有以下幾個方面

3.1 科技水平低技術(shù)發(fā)展受到阻礙

我國科技水平相對于國際科技水平來說相對落后。我國科技發(fā)展方面存在的主要問題是發(fā)展滯緩，與國際脫節(jié)，更新?lián)Q代慢。然而，科技水平的高低對于半導(dǎo)體光電信息材料的研究起著決定性的作用，所以要想更好地促進(jìn)半導(dǎo)體光電信息材料的發(fā)展，我國首先需要做的便是努力提高科技發(fā)展水平，緊跟國際科技發(fā)展的步伐。提高自身的科技水平，為半導(dǎo)體光電信息功能材料的研究提供強(qiáng)大的科技后盾。

3.2 技術(shù)型人才需予以增加

受我國應(yīng)試教育的影響，我國高校培養(yǎng)出的人才過于依賴?yán)碚?，缺少?chuàng)新意識。然而，半導(dǎo)體光電信息功能材料的研究需要的不僅僅是擁有淵博理論知識的人，其更需要的是擁有靈活大腦，創(chuàng)新意識的人才。因此，我國應(yīng)改進(jìn)相關(guān)的教育政策制度，鼓勵高校培養(yǎng)出更多擁有創(chuàng)新精神、靈活頭腦的人。同時，我國在進(jìn)行技術(shù)型人才培養(yǎng)方面要注重其專業(yè)性的提高，注重專業(yè)素質(zhì)的培養(yǎng)。從而讓更多的具有專業(yè)型的人才滿足社會需要，滿足半導(dǎo)體光電信息材料研究的需要。

3.3 政策缺失

現(xiàn)階段，處于發(fā)展中狀態(tài)的我國在半導(dǎo)體光電信息材料研究中，各方面政策制度還不夠完善，比如在半導(dǎo)體光電信息材料的研究方面，國家并沒有明確地提出相應(yīng)的鼓勵措施促進(jìn)此方面技術(shù)的發(fā)展。因此，現(xiàn)在國家需要作出努力的便是組織相關(guān)部門，制定相關(guān)獎勵政策，來促進(jìn)半導(dǎo)體光電信息材料的研究。政策的制定需要立足于我國的現(xiàn)實(shí)和實(shí)際，相關(guān)部門要對半導(dǎo)體光電信息材料進(jìn)行仔細(xì)研究，通過政策的制定很好的指導(dǎo)其發(fā)展和拓新。

4 結(jié)語

從上文中可以我們可以看出，在當(dāng)代信息技術(shù)高速發(fā)展的時期，半導(dǎo)體光電信息功能資料的研究，對一國的生產(chǎn)力發(fā)展，經(jīng)濟(jì)進(jìn)步，起著重要的決定性作用，半導(dǎo)體光電信息功能材料普遍存在于一國人民的日常生活當(dāng)中，每一個人都應(yīng)當(dāng)成為半導(dǎo)體光電信息材料研究的推動者，只有全民努力，其材料研究才能得到長足發(fā)展。

參考文獻(xiàn)：

第4篇：半導(dǎo)體的作用范文

關(guān)鍵詞：大型水輪發(fā)電機(jī)；槽部固定結(jié)構(gòu)；槽部固定材料

中圖分類號：TM312 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A

1 定子線棒槽內(nèi)固定的原理

大型水輪發(fā)電機(jī)槽內(nèi)固定的作用包括：（1）消除槽內(nèi)電暈腐蝕及“電腐蝕”； （2）承受電機(jī)運(yùn)行時的電磁力和振動對線棒的磨損，防止線棒軸向下沉。

根據(jù)槽部防電暈及防“電腐蝕”的要求，理論上定子線棒與鐵心槽壁的間隙越小越好。目前所使用的環(huán)氧絕緣為熱固性材料，熱膨脹性小，在電機(jī)運(yùn)行中絕緣本身無法補(bǔ)償線棒與鐵心槽壁的微小間隙。據(jù)研究當(dāng)線棒與槽壁間隙在0.4mm～1.0mm間產(chǎn)生電腐蝕的幾率最大。雖然槽部電暈的放電能量不是很大，故熱效應(yīng)對絕緣的影響也不大，但其產(chǎn)生的臭氧與氮反應(yīng)生成的酸將腐蝕線棒主絕緣，最終影響線棒壽命。因此控制線棒低阻層和半導(dǎo)體槽襯的表面電阻率，彌補(bǔ)線棒與槽壁的間隙尤為重要。

線棒低阻層和槽襯的表面電阻要求既不能太大也不能太小，太大易造成槽內(nèi)電暈腐蝕，太小易在其表面產(chǎn)生渦流損耗會增大。因此線棒低阻層及半導(dǎo)體槽襯的表面電阻率控制在103～105Ω較為合理。

水輪發(fā)電機(jī)在安裝過程中對于槽內(nèi)固定結(jié)構(gòu)的考核通常采用測量線圈槽部表面電位的辦法。在線圈嵌入定子鐵心槽中并固定后進(jìn)行。測試時電機(jī)繞組加上UN/ 交流電壓，用連有電壓表的金屬觸頭（操作者通過絕緣棒控制）接觸線圈表面，同時讀取電壓表上讀數(shù)。GB/T7894-2009《水輪發(fā)電機(jī)基本技術(shù)條件》中要求槽電位不大于10V。

2 哈電傳統(tǒng)的槽內(nèi)固定結(jié)構(gòu)

哈電過去傳統(tǒng)的槽部固定結(jié)構(gòu)采用的是線棒與槽壁間填塞半導(dǎo)體層壓板的固定方式，底部、層間為半導(dǎo)體墊條。此種固定方式側(cè)面為分段填塞，剛性接觸，線棒表面半導(dǎo)體層與鐵心槽壁存在間隙，因此易產(chǎn)生電腐蝕，從而損傷線棒絕緣影響電機(jī)運(yùn)行壽命。除貫流外，混流、軸流等大多數(shù)水輪發(fā)電機(jī)多為立式，線棒豎直安裝，隨著運(yùn)行過程中槽內(nèi)受力的重新分布，半導(dǎo)體墊條易產(chǎn)生松動及滑出等情況。因此傳統(tǒng)的固定結(jié)構(gòu)在抵抗電機(jī)運(yùn)行中的振動磨損及阻礙線棒軸向位移的作用稍差。

3 哈電新型槽內(nèi)固定結(jié)構(gòu)及材料

3.1 RTV（室溫固化硅橡膠）/CRTV（導(dǎo)電性室溫固化硅橡膠）槽內(nèi)固定結(jié)構(gòu)

哈電在引進(jìn)加拿大GE公司技術(shù)制造二灘定子線棒時采用的是RTV/CRTV配合楔下波紋板的槽內(nèi)固定結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)是將RTV（室溫硫化硅橡膠）和CRTV（半導(dǎo)體硅橡膠）分別涂于定子線棒的兩面并經(jīng)室溫固化后下入槽內(nèi)，由于固化后的RTV和CRTV為彈性體，與定子槽壁為過盈配合，因此線棒下入槽之后與槽壁接觸緊密，槽電位（或槽電阻）測量符合GE公司相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。但此種結(jié)構(gòu)在制造過程中存在硅橡膠涂覆工藝較為復(fù)雜、線棒下線前需特殊防護(hù)的缺點(diǎn)。

3.2 “U”形半導(dǎo)體槽襯固定結(jié)構(gòu)

目前常規(guī)水輪發(fā)電機(jī)多采用U字形槽襯固定結(jié)構(gòu)。此種結(jié)構(gòu)為半導(dǎo)體槽襯“U”形包繞在線棒上，層間或槽底配合半導(dǎo)體適形氈。該種固定結(jié)構(gòu)槽內(nèi)配合緊密，易于線棒的安裝和拆卸。

半導(dǎo)體槽襯是由無紡布和半導(dǎo)體膠粘劑復(fù)合而成。由于無紡布是聚酯體系，所選擇的半導(dǎo)體膠粘劑必須與它相容性好，否則將影響電阻值的均勻性以及半導(dǎo)體無紡布的強(qiáng)度，在考慮相容性的同時還必須考慮膠在固化后達(dá)到F級，因此選擇以環(huán)氧樹脂為主要膠粘劑材料，同時選擇合適的改性劑及偶聯(lián)劑對環(huán)氧樹脂進(jìn)行改性，使其與聚酯無紡布粘接好；另外，加入適量的增韌劑以調(diào)節(jié)半導(dǎo)體無紡布的柔韌性。

半導(dǎo)體膠的性能決定半導(dǎo)體槽襯的性能及應(yīng)用工藝，所以對膠的體系進(jìn)行了深入細(xì)致的研究，通過大量的配方試驗(yàn)，最后確定膠以環(huán)氧樹脂為主，選擇亞胺改性劑和特殊增韌劑提高固化后半導(dǎo)體槽襯的耐熱性和柔韌性能，同時也選擇合適的偶聯(lián)劑提高膠與無紡布的粘接強(qiáng)度，滿足定子繞組下線對半導(dǎo)體槽襯強(qiáng)度的要求。

3.3 硅橡膠繞包“三合一”槽襯固定結(jié)構(gòu)

此種結(jié)構(gòu)為半導(dǎo)體無紡布表面涂覆硅橡膠，對折為“三合一”結(jié)構(gòu)，繞包在線棒低阻層表面與線棒一同下入槽內(nèi)，硅橡膠膠固化前具有可塑性，可以補(bǔ)償槽壁表面存在的微小機(jī)械公差，同時也可以抵消由于鐵心槽段不平在線棒絕緣表面產(chǎn)生的局部機(jī)械應(yīng)力。室溫固化后為彈性體，與槽壁過盈配合，易于操作和安裝，槽內(nèi)固定牢固、基本無間隙，補(bǔ)償運(yùn)行中的熱膨脹和位移。

此種固定結(jié)構(gòu)有效地解決了定子線棒在運(yùn)行過程中的所受的電磁力、振動力、絕緣磨損及線棒下沉等問題，同時有效地消除了槽內(nèi)的電腐蝕，槽電位可控制在5V以下。硅橡膠繞包“三合一”槽襯配合頂部波紋板固定結(jié)構(gòu)，有效地保證了線棒在運(yùn)行過程中承受振動力的作用，同時也更好地避免了在負(fù)荷突變和短路時巨大的電磁力對線棒的破壞作用。國產(chǎn)化的半導(dǎo)體硅橡膠各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到了國外公司的技術(shù)要求，完全滿足大型水輪發(fā)電機(jī)的安裝和運(yùn)行要求，目前已應(yīng)用在了國內(nèi)的龍灘、拉西瓦等多臺大型機(jī)組上，安全可靠。

國產(chǎn)的半導(dǎo)體室溫硫化硅橡膠，原材料進(jìn)口，將膠體石墨與硅橡膠混煉成均勻體，采用室溫硫化劑，可在室溫下完全硫化。

3.4頂部波紋板的應(yīng)用

波紋板作為一種新型的槽內(nèi)固定材料目前已實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)化。波紋板有頂部波紋板和側(cè)面波紋板兩種用途，側(cè)面波紋板多用于汽輪發(fā)電機(jī)的槽內(nèi)固定，為半導(dǎo)體材料；頂部波紋板應(yīng)用在水輪發(fā)電機(jī)中多為絕緣材料，固定在槽楔之下，利用波紋板的壓縮為線棒施加徑向預(yù)應(yīng)力，有效地避免線圈的下沉和松動。

波紋板是由特殊編織的玻璃布經(jīng)F級熱固性樹脂浸漬成半固化玻璃坯布，然后在模具上加熱加壓固化而成。根據(jù)定子線棒槽內(nèi)固定的要求，波紋板要具有永久變形小，抗壓變形小，回彈力高的性能，這樣才能使其在機(jī)組長期運(yùn)行過程中更好地保持波紋形狀，保持彈性。水輪發(fā)電機(jī)槽內(nèi)頂部波紋板利用壓縮變形有效地起到了固定定子線棒的作用，在電機(jī)運(yùn)行和突然短路等情況下保證了線棒的固定牢靠，防止由此產(chǎn)生的線棒松動磨損及軸向下沉，提高了電機(jī)的運(yùn)行可靠性。

第5篇：半導(dǎo)體的作用范文

當(dāng)大數(shù)據(jù)、人工智能等項(xiàng)目落地時，背后的數(shù)據(jù)必然會產(chǎn)生重大作用，那些存儲設(shè)備主要構(gòu)成元素就是半導(dǎo)體。半導(dǎo)體成為未來新技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)。

據(jù)Gartner預(yù)測，2017年全球半導(dǎo)體營收總計(jì)將達(dá)到3860億美元，較2016年增長12.3%。從2016下半年起開始出現(xiàn)有利的市場狀況，尤其是在標(biāo)準(zhǔn)型存儲器（Commodity Memory）方面。這些有利條件使2017、2018年的市場前景更為樂觀。不過存儲器市場變化無常，加上DRAM與NAND Flash產(chǎn)能增加，預(yù)計(jì)市場將在2019年進(jìn)入修正期。

Gartner研究總監(jiān)喬恩?艾仁森（Jon Erensen）表示：“雖然DRAM與NAND Flash價(jià)格雙雙上漲，讓整體半導(dǎo)體市場前景更為樂觀，但這也對智能手機(jī)、PC與服務(wù)器系統(tǒng)廠商的獲利帶來壓力。零組件缺貨、原物料價(jià)格上漲，加上廠商可能必須提高平均售價(jià)（ASP）來應(yīng)對成本的提高，2017、2018年市場都將因此產(chǎn)生動蕩。”

有稻荼礱鰨從2016年中以來，PC用DRAM價(jià)格已上漲一倍。原來只要12.50美元的4GB模組，現(xiàn)在已漲到將近25美元，NAND Flash的平均售價(jià)也從2016年下半年到今年第一季度保持持續(xù)上漲態(tài)勢。Gartner預(yù)計(jì)DRAM與NAND的價(jià)格將在2017年第二季度達(dá)到頂峰，不過整體價(jià)格回落可能要一直持續(xù)到今年年底，主要原因是隨著智能手機(jī)等主要應(yīng)用的容量需求增加，廠商會開始搶貨。

喬恩?艾仁森指出：“2017年隨著存儲器廠商的毛利提升，廠商也開始布局新產(chǎn)能擴(kuò)增計(jì)劃。我們預(yù)計(jì)中國將因此展開一系列行動，發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)?！?/p>

當(dāng)然，半導(dǎo)體的應(yīng)用不僅僅在存儲器領(lǐng)域，它還在很多領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。大家比較熟悉的可能有手機(jī)、PC、汽車等。由于旗艦級智能手機(jī)、顯卡、游戲主機(jī)與汽車應(yīng)用的單位生產(chǎn)量估計(jì)值已經(jīng)調(diào)升，2017年半導(dǎo)體市場前景更加被看好。此外，大量使用DRAM與NAND Flash的PC、Ultramobile、服務(wù)器與固態(tài)硬盤等電子設(shè)備，也將帶動半導(dǎo)體收入估計(jì)值的增加。

第6篇：半導(dǎo)體的作用范文

【關(guān)鍵詞】微電子化計(jì)量儀；半導(dǎo)體探測器；特性研究；試驗(yàn)方法

半導(dǎo)體技術(shù)近年來被運(yùn)用于多種領(lǐng)域，尤其是在核輻射探測器方面的運(yùn)用，將半導(dǎo)體技術(shù)的優(yōu)勢發(fā)揮得淋漓盡致，為社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展做出了巨大貢獻(xiàn)。近年來，細(xì)數(shù)將半導(dǎo)體技術(shù)引入核輻射探測器領(lǐng)域的過程，我國的相關(guān)科研單位耗費(fèi)了大量的人力、財(cái)力和物力。隨著時代的發(fā)展，深化半導(dǎo)體材料和技術(shù)在核輻射探測器的運(yùn)用研究將繼續(xù)為我國的科技發(fā)展提供重要支持。結(jié)合本文研究方向，擬從半導(dǎo)體探測器特性的實(shí)驗(yàn)研究層面展開，利用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行相關(guān)討論。

1半導(dǎo)體探測器的內(nèi)涵

半導(dǎo)體探測器以其高效、實(shí)用、成本低、性能穩(wěn)定等特性，目前在各個領(lǐng)域的應(yīng)用十分廣泛。明確半導(dǎo)體探測器的內(nèi)涵概念，能夠深化我們對半導(dǎo)體探測器的了解，為接下來的更深入的探究工作打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。接下來筆者就從半導(dǎo)體探測器的概念及發(fā)展歷程兩個方面來粗淺剖析半導(dǎo)體探測器的內(nèi)涵：1.1半導(dǎo)體探測器的概念。顧名思義，半導(dǎo)體探測器就是利用半導(dǎo)體材料和特點(diǎn)研發(fā)的探測設(shè)備。結(jié)合原理分析，半導(dǎo)體探測器是一種通過鍺、硅等半導(dǎo)體材料物理屬性、并利用其作為探測介質(zhì)的輻射探測器。由于半導(dǎo)體探測器的工作原理和氣體電離室有諸多相似之處，因此半導(dǎo)體探測器也被稱之為固體電離室。從技術(shù)原理的層面來講，半導(dǎo)體探測器的工作原理是在半導(dǎo)體探測器的靈敏體積內(nèi)帶電粒子產(chǎn)生“電子——空穴對”，之后“電子——空穴對”在外電場環(huán)境下做出漂移繼而產(chǎn)生并輸出信號。經(jīng)過大量科學(xué)家的研究，半導(dǎo)體探測器誕生至今，經(jīng)過不斷的技術(shù)概念和材料改良，目前性能和效用已經(jīng)十分優(yōu)良。1.2半導(dǎo)體探測器的發(fā)展歷程。半導(dǎo)體技術(shù)在核輻射探測器方面的應(yīng)用分為幾個階段：第一個階段是八十年代之前。當(dāng)時的探測器受到技術(shù)技術(shù)條件和認(rèn)知的影響，最為常見的探測器是GM計(jì)數(shù)管探測器。這種GM計(jì)數(shù)管探測器的產(chǎn)品性能和效果并不理想。隨著技術(shù)的不斷更新和科學(xué)家探索的深入。第二個階段是九十年代之后，在法國、德國出現(xiàn)了用半導(dǎo)體材料作探測器的小型劑量儀器。至此，半導(dǎo)體技術(shù)正式被應(yīng)用于探測器領(lǐng)域。這種半導(dǎo)體探測器具有體積小、工作電壓低、耗能少等優(yōu)勢，這些特點(diǎn)為半導(dǎo)體探測器的應(yīng)用空間和范圍奠定了良好基礎(chǔ)。

2用于微電子化計(jì)量儀的半導(dǎo)體探測器特性的實(shí)驗(yàn)方法

為了進(jìn)一步地探究半導(dǎo)體探測器的特性，更明確地了解并認(rèn)知其優(yōu)勢，筆者通過一組實(shí)驗(yàn)來進(jìn)行說明。在這一實(shí)驗(yàn)中筆者所用的半導(dǎo)體測試器是目前業(yè)界內(nèi)比較新型的設(shè)備，它是筆者單位和某原子能科學(xué)研究院合理研發(fā)的。實(shí)驗(yàn)中與半導(dǎo)體探測器相連接的電力屬于微電子學(xué)混合電路。下面筆者對實(shí)驗(yàn)方法（如圖2.1所示）作詳細(xì)的論述與分析：圖2.1實(shí)驗(yàn)示意圖考慮到夜晚的干擾信號比白天小很多，因此我們在做此實(shí)驗(yàn)時選擇在了晚上的時間段。為了處理好半導(dǎo)體探測器特性實(shí)驗(yàn)中噪音大的問題，本次實(shí)驗(yàn)所選擇的單道閾值是0.21V。在實(shí)驗(yàn)中，主放大倍數(shù)為50積分、微分常數(shù)為0.5μs。定標(biāo)器的工作方式為積分，脈沖為正脈沖方式?；谏鲜鲞@些情況，我們的“用于微電子化計(jì)量儀的半導(dǎo)體探測器特性”實(shí)驗(yàn)研究正式開始。

3用于微電子化計(jì)量儀的半導(dǎo)體探測器特性的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及處理

關(guān)于特性研究實(shí)驗(yàn)過程中的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及處理方式，筆者對其進(jìn)行了詳細(xì)的記錄。筆者將半導(dǎo)體的探測器面積分為10平方豪米、25平方毫米和50平方毫米三種數(shù)據(jù)類型來進(jìn)行測驗(yàn)。第一，半導(dǎo)體探測器的面積為10平方毫米，98型的半導(dǎo)體探測器輻射響應(yīng)特性的數(shù)據(jù)結(jié)果如圖3.1、3.2所示，圖中所反映出來的數(shù)據(jù)指標(biāo)是偏壓為1V和3V的情況下，98型號的半導(dǎo)體探測器中凈計(jì)數(shù)和劑量率之間的關(guān)系；99型的半導(dǎo)體探測器所反饋的實(shí)驗(yàn)曲線如圖3.3、3.4所示，98型半導(dǎo)體探測器的輻射響應(yīng)特性數(shù)據(jù)如圖3.5、3.6所示。圖中所反映出來的數(shù)據(jù)指標(biāo)是偏壓為1V和3V的情況下，98型號的半導(dǎo)體探測器中凈計(jì)數(shù)和劑量率之間的關(guān)系。第二，當(dāng)半導(dǎo)體探測器的面積增加到25平方毫米之后，99型的半導(dǎo)體探測器輻射響應(yīng)特性的數(shù)據(jù)結(jié)果如圖3.5、3.6所示，圖中所反映出來的數(shù)據(jù)指標(biāo)是偏壓為1V和3V的情況下，99型號的半導(dǎo)體探測器中凈計(jì)數(shù)和劑量率之間的關(guān)系?；谙盗袑?shí)驗(yàn)分析，當(dāng)半導(dǎo)體探測器的面積從10平方豪米增加到25平方毫米，在遞增到50平方毫米的過程中，在不同的偏壓下，98型和99型的半導(dǎo)體探測器的凈計(jì)數(shù)率在0.869cGy/h點(diǎn)上，半導(dǎo)體探測器的型號和探測器偏壓的關(guān)系如表1所示。在表中，在照射量率為均為1的情況下，當(dāng)半導(dǎo)體探測器的偏壓設(shè)定為1V時，探測面積為10平方毫米的98型探測器的凈計(jì)數(shù)率是68.2，探測面積為25平方毫米的98型探測器的凈計(jì)數(shù)率是104.0；探測面積為50平方毫米的98型探測器的凈計(jì)數(shù)率是181.7，探測面積為10平方毫米的99型探測器的凈計(jì)數(shù)率是125.3。當(dāng)半導(dǎo)體探測器的偏壓設(shè)定為3V時，探測面積為10平方毫米的98型探測器的凈計(jì)數(shù)率是90.4，探測面積為25平方毫米的98型探測器的凈計(jì)數(shù)率是167.6；探測面積為50平方毫米的98型探測器的凈計(jì)數(shù)率是316.4，探測面積為10平方毫米的99型探測器的凈計(jì)數(shù)率是178.6。

4用于微電子化計(jì)量儀的半導(dǎo)體探測器特性的結(jié)果與討論

通過上述關(guān)于不同型號半導(dǎo)體探測器在不同輻射面積中輻射響應(yīng)特性等相關(guān)數(shù)據(jù)的分析我們可以得出如下三個方面的結(jié)論：第一，該半導(dǎo)體探測器的工作電壓相對較低，對γ響應(yīng)十分敏感。當(dāng)“用于微電子化計(jì)量儀的半導(dǎo)體探測器特性研究”的實(shí)驗(yàn)電壓在1V—3V單偏壓電源數(shù)據(jù)之間變動時，半導(dǎo)體探測器的靈敏度能夠在68-316S/(R/h)區(qū)間進(jìn)行變化。結(jié)合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析與反饋，總體來講，輻射面積為10平方毫米的99型探測器性能比輻射面積為10平方毫米的98型探測器性能優(yōu)良。在同樣的實(shí)驗(yàn)條件中，用來測定DM91的輻射面積為10平方毫米的半導(dǎo)體探測器靈敏度情況如下：當(dāng)實(shí)驗(yàn)偏壓為1V時，10平方毫米的半導(dǎo)體探測器靈敏度為87.2；當(dāng)實(shí)驗(yàn)偏壓為3V時，10平方毫米的半導(dǎo)體探測器靈敏度是1.8。對比關(guān)于試驗(yàn)偏壓和不同輻射面積的半導(dǎo)體探測器靈敏度的這幾組實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，我們可以得出如下結(jié)論：輻射面積為10平方毫米的99型半導(dǎo)體探測器敏感度性能相比較國外輻射面積為10平方毫米的半導(dǎo)體探測器，在對γ輻射方面的靈敏度方面性能要高出很多。也就是說我們目前的輻射面積為10平方毫米的半導(dǎo)體探測器性能已經(jīng)達(dá)到并超出國外同類探測器的水平。第二，從噪音閾值的層面來講，本次實(shí)驗(yàn)中所采用的半導(dǎo)體探測器噪音極小，這種小分貝的噪音數(shù)值可以顯著提升信噪比，這種情況可以促進(jìn)微電子學(xué)設(shè)計(jì)工作的更好開展。這一點(diǎn)在微電子化計(jì)量儀的半導(dǎo)體探測器特性實(shí)驗(yàn)中雖然是一個細(xì)節(jié)，但也應(yīng)當(dāng)充分引起我們的注意和重視。第三，本次“用于微電子化計(jì)量儀的半導(dǎo)體探測器特性”實(shí)驗(yàn)中，當(dāng)探測器的屏蔽材質(zhì)發(fā)生變化時，其抗干擾能力也會有明顯改變。這一現(xiàn)象表明在實(shí)驗(yàn)室中，空間的電磁干擾因素需要引起實(shí)驗(yàn)者的重視。

5結(jié)束語

綜上所述，半導(dǎo)體探測器在當(dāng)前多種行業(yè)中所發(fā)揮的作用不容忽視，為了探究“用于微電子化計(jì)量儀的半導(dǎo)體探測器特性”，筆者通過開展一項(xiàng)專題實(shí)驗(yàn)來進(jìn)行闡述與說明，在上述文段中，筆者不僅對實(shí)驗(yàn)的方法進(jìn)行羅列和描述，還對實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)及處理進(jìn)行對比分析，并有針對性地提出自己的見解。通過上述實(shí)驗(yàn)的分析，筆者希望能夠喚起更多業(yè)界同行對于半導(dǎo)體探測器特性的關(guān)注，通過群策群力，為促進(jìn)半導(dǎo)體探測器的運(yùn)用水平貢獻(xiàn)力量。

作者:馬駿 單位:東華理工大學(xué)

參考文獻(xiàn)

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第7篇：半導(dǎo)體的作用范文

【關(guān)鍵詞】薄膜太陽能電池；半導(dǎo)體制冷；車載輔助空調(diào)

1.引言

當(dāng)今，汽車已成為人們?nèi)粘Ｉ钪械闹匾ぞ?。但它卻消耗大量燃料，同時，在通過氟利昂等制冷劑改善車內(nèi)環(huán)境的同時，也對環(huán)境造成了很大的破壞。隨著世界各國汽車保有量的不斷攀升，使得全球能源消耗壓力逐漸增大，環(huán)境日益惡化。而太陽輻射到地球大氣層的能量高達(dá)173，000TW，即太陽1秒鐘照射到地球上的能量就相當(dāng)于500萬噸煤。如果以平方米計(jì)算，每秒照射到地球的能量則為49.94GJ。這是一個巨大的寶藏等我們?nèi)ラ_發(fā)利用。

2.研究背景及意義

夏季車內(nèi)高溫環(huán)境會加速車內(nèi)裝飾材料中苯和甲醛等致癌物質(zhì)的揮發(fā)，嚴(yán)重影響人們的身體健康；各種制冷驅(qū)動系統(tǒng)均使用氟、溴化鋰和氨等制冷劑，但對大氣尤其是臭氧層產(chǎn)生了較大的破壞。而半導(dǎo)體制冷技術(shù)具有無需制冷劑、熱慣性小、制冷制熱時間快等特點(diǎn)，再結(jié)合無毒、無污染、質(zhì)量輕的薄膜太陽能電池，這種新型的制冷系統(tǒng)是汽車制冷、降低汽車能耗研究領(lǐng)域的重要研究方向。

3.設(shè)計(jì)方案

3.1 系統(tǒng)的整體構(gòu)思

太陽能汽車輔助空調(diào)系統(tǒng)利用太陽能光電轉(zhuǎn)化原理，將接收到的太陽能轉(zhuǎn)化為電能，再驅(qū)動半導(dǎo)體制冷，從而調(diào)節(jié)汽車的內(nèi)部溫度。整套裝置由薄膜太陽能電池、太陽能控制器、太陽能蓄電池、溫度控制器、半導(dǎo)體制冷裝置組成。在炎熱的夏季中午（上午11時到下午16時期間）的環(huán)境下，當(dāng)汽車內(nèi)的溫度>30℃時，半導(dǎo)體制冷裝置開始工作。

3.2 主要組成和功能

如圖1所示，該系統(tǒng)由以下幾部分組成：

（1）薄膜太陽能電池：薄膜太陽能電池是由在廉價(jià)的玻璃、不銹鋼或塑料襯底上附上厚度只有幾微米的感光材料制成，具有原材料豐富、無毒、無污染、低能耗、低成本等優(yōu)點(diǎn)[1]。其作用是將太陽能轉(zhuǎn)換為電能，為半導(dǎo)體制冷片提供電能，或送往蓄電池中存儲起來。

（2）太陽能控制器：太陽能控制器的作用是控制整個發(fā)電系統(tǒng)的工作狀態(tài)，并對蓄電池起到過充電、過放電保護(hù)的作用。

（3）太陽能蓄電池：選用合適的深循環(huán)能力較好的鉛酸蓄電池。其作用是儲存光伏系統(tǒng)產(chǎn)生的電能，為半導(dǎo)體制冷裝置供電以及充當(dāng)電壓穩(wěn)定器[2]。

（4）溫度控制器：選用高精度溫度控制電路，一定條件下自動開啟或關(guān)閉輔助空調(diào)系統(tǒng)，保證汽車內(nèi)溫度的適宜。

（5）半導(dǎo)體制冷裝置：其作用是將太陽能發(fā)電系統(tǒng)產(chǎn)生的電能轉(zhuǎn)換為冷量或者熱量，從而調(diào)節(jié)車內(nèi)的溫度。

（6）溫度傳感器：把接收到的溫度信號轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字信號，傳輸給控制器部分。

3.3 設(shè)計(jì)內(nèi)容

3.3.1 太陽能發(fā)電系統(tǒng)

所述太陽能發(fā)電系統(tǒng)，其結(jié)構(gòu)如圖2所示，由薄膜太陽能電池1、太陽能控制器4、太陽能蓄電池3組成，其中：薄膜太陽能電池組1與太陽能控制器4的輸入端相連接。太陽能控制器4的輸出端與太陽能蓄電池3相連接，并且與半導(dǎo)體空調(diào)系統(tǒng)2中的電能輸入端相連接。在保證半導(dǎo)體空調(diào)系統(tǒng)正常工作的同時，給太陽能蓄電池充電。

①太陽能電池組1由薄膜太陽能電池構(gòu)成，它的面積大小可根據(jù)實(shí)際的制冷量確定。

②太陽能蓄電池3，可與汽車電瓶相匹配，一定條件下為汽車運(yùn)行中火花塞點(diǎn)火提供所需電能，降低汽車油耗與排放。該太陽能蓄電池可以有多個，它們通過導(dǎo)線進(jìn)行串并聯(lián)連接，構(gòu)成太陽能蓄電池組。

3.3.2 半導(dǎo)體制冷系統(tǒng)

半導(dǎo)體制冷系統(tǒng)2，其結(jié)構(gòu)如圖2所示，由半導(dǎo)體制冷裝置、抽風(fēng)送風(fēng)裝置、散熱裝置、溫度控制系統(tǒng)組成。散熱器6安裝在汽車前部的進(jìn)氣柵格處以輔助空調(diào)系統(tǒng)散熱。并由溫度傳感器9向溫度控制器8提供車內(nèi)溫度信息。

①半導(dǎo)體制冷裝置由半導(dǎo)體制冷片、控制線路、電源、控制開關(guān)等構(gòu)成；

②抽風(fēng)送風(fēng)裝置由風(fēng)口、風(fēng)道、風(fēng)扇構(gòu)成；

③散熱裝置由導(dǎo)熱塊、換熱器、翅片、風(fēng)扇等構(gòu)成；

④溫度控制系統(tǒng)由溫度傳感器、溫度調(diào)節(jié)電路、控制面板等構(gòu)成，可以根據(jù)溫度傳感器提供的車內(nèi)溫度信息，自動啟動或關(guān)閉空調(diào)系統(tǒng)，以保證車輛在停放過程中車內(nèi)保持較適宜的溫度。

3.3.3 控制電路

圖4為簡易太陽能控制器電路結(jié)構(gòu)圖，薄膜太陽能電池板輸出的電壓經(jīng)過直流DC/DC變換后送給蓄電池充電。A/D采樣電路將采集到的模擬信號送給單片機(jī)進(jìn)行分析處理，通過調(diào)整PWM控制寄存器來調(diào)整PWM的占空比，從而實(shí)現(xiàn)對充電電壓和電流的控制，實(shí)現(xiàn)最大功率點(diǎn)的跟蹤（MPPT）。

4.設(shè)計(jì)創(chuàng)新點(diǎn)

運(yùn)用無毒、無污染、質(zhì)量輕的薄膜太陽能電池，把太陽能光電轉(zhuǎn)換技術(shù)和半導(dǎo)體制冷技術(shù)結(jié)合起來，設(shè)計(jì)出一款汽車輔助空調(diào)系統(tǒng)。能夠調(diào)節(jié)尤其是在夏季高溫下汽車內(nèi)的溫度。

5.結(jié)語

隨著人們生活水平的逐步提高，汽車正成為人們出行的必要工具。優(yōu)化汽車制冷系統(tǒng)，能改善汽車的運(yùn)行效率，方便人們的生活，同時也能夠節(jié)約大量能源。太陽能半導(dǎo)體制冷空調(diào)可以將太陽能轉(zhuǎn)化為電能，并給半導(dǎo)體制冷提供能量，這在汽車這一發(fā)展迅速的領(lǐng)域無疑是一次重大改革，具有廣泛的應(yīng)用前景和很高的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。

參考文獻(xiàn)

[1]錢伯章.太陽能技術(shù)與應(yīng)用[M].北京：科學(xué)出版社， 2010（8）：73-76.

第8篇：半導(dǎo)體的作用范文

關(guān)鍵詞：新型納米半導(dǎo)體 制備 實(shí)驗(yàn) 光催化技術(shù)

中圖分類號：O643 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A 文章編號：1672-3791（2014）01（c）-0001-02

隨著新型材料的不斷涌現(xiàn)，各生產(chǎn)、加工行業(yè)對其各項(xiàng)性能的關(guān)注程度也大大提升，其中針對半導(dǎo)體材料光催化性能的研究也越來越多。氧化鋅作為光催化劑有著價(jià)格實(shí)惠、無毒、高效等優(yōu)點(diǎn)，雖然其催化機(jī)理與氧化鈦相似，但是氧化鋅光催化劑的吸光效率更好，因此有可能會成為取代氧化鈦的新型光催光劑。

氧化鋅自然條件下，氧化鋅主要以纖鋅礦的結(jié)構(gòu)形式存在，其光電性能、電磁波吸收能力以及熱穩(wěn)定性都非常好，在壓電傳感器、紫外光發(fā)射器、顯示器、導(dǎo)電薄膜、表面波吸收以及太陽能電池等方面都有著非常廣泛的應(yīng)用，是一種應(yīng)用潛力很大的新型半導(dǎo)體材料。在對太陽能開發(fā)力度不斷加大的未來，半導(dǎo)體材料的發(fā)展空間更大。

1 半導(dǎo)體光催化的機(jī)理、特點(diǎn)

1.1 半導(dǎo)體光催化的機(jī)理

在半導(dǎo)體中，未被占的高能導(dǎo)帶以及被占的低能價(jià)帶組成了其能帶結(jié)構(gòu)，由于價(jià)帶和導(dǎo)帶處于分離狀態(tài)，它們之間的能級距離就叫做帶隙寬度。半導(dǎo)體的這種結(jié)構(gòu)就是其光特性的基礎(chǔ)，當(dāng)與半導(dǎo)體帶隙寬度匹配的光波照射半導(dǎo)體光催化劑時，價(jià)帶電子就會吸收光的能量而發(fā)生躍遷，直接跨過能級距離躍遷到導(dǎo)帶上去，價(jià)帶就會因此出現(xiàn)空穴，引起光電子和空穴的競爭。當(dāng)它們分離時，能夠運(yùn)動到半導(dǎo)體表面，能量匹配的電子就會被空穴捕獲使得空穴具有強(qiáng)氧化性，而電子本身就具有較強(qiáng)的還原性，因此半導(dǎo)體內(nèi)部就產(chǎn)生了電子對。

1.2 半導(dǎo)體光催化的特點(diǎn)

首先，半導(dǎo)體所使用的光催化劑的污染小，并且沒有毒性，催化效率高；其次，半導(dǎo)體光催化幾乎沒有選擇性，因此適用范圍較廣，降解效率與除凈度都比較高。在光催化過程中能將大部分有機(jī)污染物氧化，產(chǎn)生水、二氧化碳以及無機(jī)鹽等無害物質(zhì)；再次，半導(dǎo)體的光催化反應(yīng)一般在室溫條件下進(jìn)行，條件溫和并且操作簡單；最后，半導(dǎo)體光催化技術(shù)除了可以利用紫外光，也可以利用太陽光進(jìn)行反應(yīng)。在太陽的照射下，半導(dǎo)體催化劑可以將太陽光吸收并轉(zhuǎn)化為化學(xué)能或者電能，而由于太陽能取之不盡用之不竭的特點(diǎn)，半導(dǎo)體光催化技術(shù)的開發(fā)與應(yīng)用也有了更加廣闊的空間。

2 氧化鋅納米半導(dǎo)體材料包覆材料的制備方法

氧化鋅納米半導(dǎo)體材料的準(zhǔn)備方法主要有兩種，分別是草酸沉淀法和檸檬酸絡(luò)合法。

（1）草酸沉淀法制備氧化鋅納米半導(dǎo)體材料。

將濃度為0.5 mol/L的硝酸鋅溶液置于燒杯中，然后將鋅離子與草酸物質(zhì)量之比為1.0∶1.5的草酸溶液加入其中，產(chǎn)生白色沉淀以后繼續(xù)攪拌2 h，然后對沉淀進(jìn)行分離、洗滌以及干燥操作，并在500 ℃的溫度下煅燒1 h，就可以得到氧化鋅試樣，將其記為試樣A。

（2）檸檬酸絡(luò)合法制備氧化鋅納米半導(dǎo)體材料。

將濃度為0.5 mol/L的硝酸鋅溶液置于燒杯中，然后將鋅離子與檸檬酸物質(zhì)量之比為1.0∶1.5的檸檬酸溶液加入其中，然后再加入適量的乙二醇，攪拌溶液讓其均勻分散，之后將其置于超聲波中進(jìn)行超聲分散半個小時，形成均勻的溶膠，接著在80 ℃的恒溫下讓溶膠轉(zhuǎn)變?yōu)槟z。將凝膠狀態(tài)的混合物置于100 ℃的烤箱中加熱變成干凝膠，然后將其研碎，并在500 ℃的溫度下煅燒一個小時，所得到的氧化鋅試樣記為B。

3 氧化鋅納米半導(dǎo)體材料包覆材料的光催化性能研究

納米材料由于粒徑非常小，因此空穴和電子從半導(dǎo)體內(nèi)部躍遷到表面的時間更短，產(chǎn)生光電子流的速度就更快。此外，半導(dǎo)體材料的比表面積較大，因此催化劑的吸附性能會更好。因此猜測，納米半導(dǎo)體材料具有非常好的光催化效果。以下通過實(shí)驗(yàn)的方法對其光催化性進(jìn)行驗(yàn)證。

3.1 實(shí)驗(yàn)過程

為了研究氧化鋅的光催化性能，我們還需要將其置于光催化反應(yīng)器上進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。首先將15 mg氧化鋅催化劑加入到50 ml質(zhì)量濃度為20 mg/L的甲基橙溶液中，置于超聲波中進(jìn)行超聲分散，15 min以后放到暗處攪拌大約10 min左右時間，讓氧化鋅催化劑與染料充分混合并達(dá)到吸附與脫附平衡。然后打開光催化反應(yīng)器的高壓泵燈，每間隔一定時間就取一次樣。取來的試樣首先進(jìn)行離心，然后利用分光計(jì)測定其吸光度，在吸光度基礎(chǔ)上計(jì)算甲基橙溶液的降解率。此外，為了突出實(shí)驗(yàn)效果，還需要進(jìn)行一組僅有光照以及在暗處加入氧化鋅催化劑的對比實(shí)驗(yàn)，并在溶液光催化降解以后進(jìn)行可見光吸收光譜測試。

3.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果以及光催化性能分析

由圖1、圖2我們可以知道，沒有光照時甲基橙的降解率非常低，也就說明在無光照條件下，氧化鋅的催化性能比較差。在僅有光照的情況下，甲基橙幾乎沒有降解率，而在既有光照也有光催化劑的情況下，甲基橙的降解率明顯升高。并且圖中顯示，光照時間為30 min時，試樣A的甲基橙降低率在94.36%，而試樣B的降解率則為81.75%。這說明氧化鋅催化劑對甲基橙的降解作用屬于光降解，并且催化活性非常好。草酸沉淀法制備得到的氧化鋅顆粒由于粒徑較小，并且中間部分空心，比表面積更大，因此光催化性能更好。

4 結(jié)語

在時代的發(fā)展以及科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步下，研究新型材料來滿足人們不斷上升的各種需求已經(jīng)是一項(xiàng)非常重要的時代性課題。而隨著能源危機(jī)的出現(xiàn)，世界各國均已開始投入對太陽能的開發(fā)與利用研究工作中。在這樣的發(fā)展形勢下，研究新型納米半導(dǎo)體材料及其光催化性能對于緩解能源危機(jī)有著重要意義。氧化鋅作為一種新型納米半導(dǎo)體材料，有著非常多的應(yīng)用優(yōu)勢，開發(fā)潛力非常大。其制備方法主要有草酸沉淀法以及檸檬酸絡(luò)合法，通過實(shí)驗(yàn)我們知道，氧化鋅催化劑的催化活性非常好，并且兩種氧化鋅半導(dǎo)體的制備方法中，草酸沉淀法不僅操作簡單，催化效率也更好。

參考文獻(xiàn)

[1] 禹崇菲.新型納米BiVO_4的制備、表征及其光催化性能研究[D].河南師范大學(xué)，2013.

[2] 楊艷青.粘土―等離子體復(fù)合材料的制備及其光催化性能研究[D].武漢理工大學(xué)，2012.

第9篇：半導(dǎo)體的作用范文

另外，全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商美國應(yīng)用材料公司于3月21日宣布，將投資8300萬美元在西安建立第一個產(chǎn)品開發(fā)中心。應(yīng)用材料公司CEO Michael Splinter表示：“我們在中國正由簡單的銷售和服務(wù)向技術(shù)開發(fā)和外包轉(zhuǎn)型。在建設(shè)開發(fā)中心的第一階段，公司將投入3300萬美元，隨后的第二階段，即未來的兩到五年內(nèi)，公司將再投入5000萬美元。

不管如何，這一切都表明中國的產(chǎn)業(yè)環(huán)境正處在一個極好的發(fā)展時期，對于下一步中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展有積極的示范作用。

英特爾項(xiàng)目具有示范作用

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移是一個總趨勢。但是，之前向中國轉(zhuǎn)移的主要集中在芯片的后序封裝測試段，全球10大芯片制造商中幾乎都已在中國設(shè)有封裝基地。如英特爾在上海及成都分別就有三個封裝廠，總投資已達(dá)13億美元。至于芯片制造部分，美國一直控制以0.18微米為限，如今除了臺灣地區(qū)的臺積電及和艦在中國設(shè)廠之外，只有韓國的海力士與歐洲的意法在無錫合資新建一個存儲器芯片制造廠。

根據(jù)西方國家對于半導(dǎo)體技術(shù)的對華出口限制(瓦圣納條約)，英特爾在華可以采用小于0.18微米線寬的半導(dǎo)體工藝。這成為英特爾在華建廠的最大障礙，也是整個事件異常低調(diào)的原因。

英特爾的主流處理器已經(jīng)全部轉(zhuǎn)移到65納米生產(chǎn)工藝，今年下半年將進(jìn)入45納米量產(chǎn)階段。此次英特爾承諾在大連生產(chǎn)的是芯片組，是聯(lián)系計(jì)算機(jī)處理器與內(nèi)存芯片和輸入設(shè)備等的“紐帶”，采用的是上一代的90納米生產(chǎn)工藝。英特爾芯片組在2006年時營收為80億美元，英特爾在芯片組市場的主要競爭對手包括Nvidia和ATI，后者已經(jīng)成為其主要競爭對手AMD的旗下部門。

根據(jù)英特爾最近向美國證券交易委員會提交的文件，該公司2006年來自中國內(nèi)地和臺灣的營收超過121億美元，占其總營收354億美元中的34％。由于戴爾、Gateway、惠普及蘋果等廠商的大多數(shù)PC，90％以上的筆記本都由中國內(nèi)地和臺灣公司代工，因此在大連興建芯片制造工廠，在產(chǎn)業(yè)鏈配套方面具有十分重要的意義。

根據(jù)瓦圣納條約的原則，控制兩代以上的技術(shù)向中國出口似乎也能自圓其說。因?yàn)榇筮B項(xiàng)目要執(zhí)行22個月，那時已進(jìn)入2009年，根據(jù)英特爾的技術(shù)路線圖，那時已進(jìn)入32納米時期。90納米完全可解釋為兩代以上的技術(shù)。

無論英特爾，還是海力士都是在中國興建獨(dú)資公司，其間并不存在任何技術(shù)轉(zhuǎn)讓問題，因此美國也不用擔(dān)心。加上中國在保護(hù)IP問題的認(rèn)識上也逐年提高，所以瓦圣納條約的精髓，在貿(mào)易和控制之間平衡也能得到妥善解決?？梢灶A(yù)期，英特爾、應(yīng)用材料等世界頂級公司在中國的投資活動，將有示范及引導(dǎo)作用。尤其對于臺積電松江廠仍緊守O.18微米為限，可能喪失競爭能力。另外，隨著第5條12英寸芯片生產(chǎn)線在中國落戶，中國12英寸專業(yè)人才的競爭將更加激烈。

一切轉(zhuǎn)移都遵循著價(jià)值規(guī)律，即當(dāng)芯片制造業(yè)開始轉(zhuǎn)移中國時，表明其利潤點(diǎn)已不可能再維持很高，而轉(zhuǎn)移者將進(jìn)入產(chǎn)業(yè)鏈中附加值更高的部分。如IBM，摩托羅拉，NXP，安捷倫等都是如此。IBM是全球掌握IP最多的公司，然而它并不都自己使用，而進(jìn)行IP貿(mào)易，年?duì)I收已可達(dá)數(shù)億美元。

面對如此良好的契機(jī)，中國無疑應(yīng)積極吸收，以提升自身的競爭能力。歸根結(jié)底，產(chǎn)業(yè)鏈的轉(zhuǎn)移將永遠(yuǎn)繼續(xù)下去，今天到中國，明天很可能又轉(zhuǎn)到印度或者越南。

發(fā)展本土半導(dǎo)體工業(yè)才是根本

發(fā)展工業(yè)離不開兩條路徑，首先積極開放，通過技術(shù)引進(jìn)站在高起點(diǎn)上。但這還不能獲得真正的先進(jìn)技術(shù)，需要通過消化，吸收才能使自身實(shí)力提高。此外，就是通過自行研發(fā)，可能慢一點(diǎn)，困難大點(diǎn)，但這才是中國工業(yè)發(fā)展的根本路徑。

因此，中國半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展不可陶醉于英特爾，或者日月光等在中國設(shè)多少廠，尤其是獨(dú)資廠。除了看似中國半導(dǎo)體工業(yè)產(chǎn)值能提高，解決部分就業(yè)，頂多培養(yǎng)了一批中下級人才。它們都把核心技術(shù)牢牢地掌握在自己手中，實(shí)質(zhì)上對于中國半導(dǎo)體業(yè)本土化進(jìn)步，并無多少實(shí)質(zhì)性的幫助，可以比喻為僅交換了一個戰(zhàn)場的地點(diǎn)。

英特爾在中國興建的12英寸，90納米制程生產(chǎn)線，要到2010年才投產(chǎn)，中間的變數(shù)還可能很多。非常有可能是由8英寸升級改造至12英寸的二手設(shè)備芯片生產(chǎn)線。雖然英特爾中國區(qū)公共事務(wù)部總監(jiān)陸郝安博士對此持否定態(tài)度，再三表示“這完全是誤解，我們是在新的廠址，建新的工廠。”

最根本的還是“要創(chuàng)新，創(chuàng)新，再創(chuàng)新”。積極培育與壯大本土的半導(dǎo)體制造大廠，如中芯國際，華虹，宏力，華潤，先進(jìn)等。只有中國的芯片制造廠強(qiáng)大，有實(shí)力，才能更有效地支持國內(nèi)設(shè)計(jì)，封裝以及設(shè)備，材料，包括配套支持產(chǎn)業(yè)均衡地發(fā)展。

中國的芯片制造廠不能僅停留在實(shí)現(xiàn)盈利這一階段，而是要創(chuàng)立國際的品牌，有幾個在國際上能站得穩(wěn)的大廠。否則，在日益競爭的環(huán)境中，很易被對手?jǐn)D出市場。當(dāng)然，企業(yè)要盈利是首位，但是中國半導(dǎo)體業(yè)必須差異化，也需要有部分企業(yè)一定要有抱負(fù)，立足于行業(yè)的前列。所以中國半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，從策略上要培育多個如中芯國際式的企業(yè)，唯此中國半導(dǎo)體業(yè)才有真正的希望。最近連臺灣地區(qū)的廠商也坦陳中國要發(fā)展本土化的半導(dǎo)體封裝大廠。