Journal Of Vacuum Science & Technology B

SCIE

按雜志級別劃分： 中科院1區(qū) 中科院2區(qū) 中科院3區(qū) 中科院4區(qū)

4區(qū) 中科院分區(qū)
Q3 JCR分區(qū)
197 年發(fā)文量
96.45% 研究類文章占比
16.37% Gold OA文章占比

ISSN：1071-1023

創(chuàng)刊時(shí)間：1991

是否預(yù)警：否

E-ISSN：2166-2754

出版地區(qū)：UNITED STATES

是否OA：未開放

出版語言：English

出版周期：Bimonthly

影響因子：1.5

出版商：A V S AMER INST PHYSICS

審稿周期：約3.0個(gè)月

開源占比：0.2239

文章自引率：0.1428...

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Journal Of Vacuum Science & Technology B雜志簡介

Journal Of Vacuum Science & Technology B是由A V S AMER INST PHYSICS出版商主辦的工程技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)學(xué)術(shù)期刊，自1991年創(chuàng)刊以來，一直以高質(zhì)量的內(nèi)容贏得業(yè)界的尊重。該期刊擁有正式的刊號（ISSN：1071-1023，E-ISSN：2166-2754），出版周期Bimonthly，其出版地區(qū)設(shè)在UNITED STATES。該期刊的核心使命旨在推動(dòng)工程技術(shù)專業(yè)及ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC學(xué)科界的教育研究與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的交流，發(fā)表同行有創(chuàng)見的學(xué)術(shù)論文，提倡學(xué)術(shù)爭鳴，激發(fā)學(xué)術(shù)創(chuàng)新，開展國際間學(xué)術(shù)交流，為工程技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展注入活力。

該期刊文章自引率0.1428...，開源內(nèi)容占比0.2239，出版撤稿占比0，OA被引用占比0.1270...，讀者群體主要包括工程技術(shù)的專業(yè)人員，研究生、本科生以及工程技術(shù)領(lǐng)域愛好者，這些讀者群體來自全球各地，具有廣泛的學(xué)術(shù)背景和興趣。Journal Of Vacuum Science & Technology B已被國際權(quán)威學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫“ SCIE（Science Citation Index Expanded） ”收錄，方便全球范圍內(nèi)的學(xué)者和研究人員檢索和引用，有助于推動(dòng)ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的研究進(jìn)展和創(chuàng)新發(fā)展。

收錄信息

SCIE（科學(xué)引文索引擴(kuò)展板）

Journal Of Vacuum Science & Technology B中科院分區(qū)表

中科院分區(qū) 2023年12月升級版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院分區(qū) 2021年12月升級版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院分區(qū)表歷年分布趨勢圖

WOS期刊JCR分區(qū)（2023-2024年最新版）

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	252 / 352	28.6%
學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q4	115 / 140	18.2%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	134 / 179	25.4%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q4	278 / 354	21.61%
學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q4	115 / 140	18.21%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q4	145 / 179	19.27%

JCR（Journal Citation Reports）分區(qū)，也被稱為JCR期刊分區(qū)，是由湯森路透公司（現(xiàn)在屬于科睿唯安公司）制定的一種國際通用和公認(rèn)的期刊分區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。JCR分區(qū)基于SCI數(shù)據(jù)庫，按照期刊的影響因子進(jìn)行排序，按照類似等分的方式將期刊劃分為四個(gè)區(qū)：Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是，JCR分區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)與中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）存在不同之處。例如，兩者的分區(qū)數(shù)量不同，JCR分為四個(gè)區(qū)，而中科院分區(qū)則分為176個(gè)學(xué)科，每個(gè)學(xué)科又按照影響因子高低分為四個(gè)區(qū)。此外，兩者的影響因子取值范圍也存在差異。

歷年發(fā)文數(shù)據(jù)

年份	年發(fā)文量
2014	284
2015	281
2016	293
2017	245
2018	231
2019	137
2020	206
2021	149
2022	155
2023	197

期刊互引關(guān)系

被他刊引用情況
期刊名稱	引用次數(shù)
JPN J APPL PHYS	267
J APPL PHYS	249
J VAC SCI TECHNOL B	201
APPL SURF SCI	152
J VAC SCI TECHNOL A	141
ACS APPL MATER INTER	126
NANOTECHNOLOGY	121
APPL PHYS LETT	112
ECS J SOLID STATE SC	105
MATER RES EXPRESS	94

引用他刊情況
期刊名稱	引用次數(shù)
APPL PHYS LETT	314
J VAC SCI TECHNOL B	201
J APPL PHYS	198
PHYS REV B	108
J VAC SCI TECHNOL A	80
NANO LETT	77
THIN SOLID FILMS	66
APPL SURF SCI	62
MICROELECTRON ENG	62
NANOTECHNOLOGY	62