半導(dǎo)體學(xué)報(bào)雜志CSCD期刊

半導(dǎo)體學(xué)報(bào)雜志簡(jiǎn)介

《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》是由中國(guó)電子學(xué)會(huì)主辦，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所承辦的學(xué)術(shù)刊物，報(bào)道半導(dǎo)體物理學(xué)和半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)最新的科研成果和技術(shù)進(jìn)展，被EI、CA、SA等收錄，在中國(guó)科學(xué)院、國(guó)家科委、中共中央宣傳部和國(guó)家新聞出版署的期刊評(píng)比中多次獲獎(jiǎng)。

半導(dǎo)體學(xué)報(bào)雜志欄目設(shè)置

《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》主要欄目有：研究快報(bào)、研究論文、研究簡(jiǎn)報(bào)、技術(shù)進(jìn)展等。

半導(dǎo)體學(xué)報(bào)雜志榮譽(yù)信息

• 全國(guó)優(yōu)秀科技期刊

半導(dǎo)體學(xué)報(bào)雜志訂閱方式

地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào)，郵編：100083。

半導(dǎo)體學(xué)報(bào)雜志社投稿須知

1.文章標(biāo)題：一般不超過(guò)20個(gè)漢字，必要時(shí)加副標(biāo)題，并譯成英文。

2.作者姓名、工作單位：題目下面均應(yīng)寫作者姓名，姓名下面寫單位名稱（一、二級(jí)單位）、所在城市（不是省會(huì)的城市前必須加省名）、郵編，不同單位的多位作者應(yīng)以序號(hào)分別列出上述信息。

3.提要：用第三人稱寫法，不以“本文”、“作者”等作主語(yǔ)，應(yīng)是一篇能客觀反映文章核心觀點(diǎn)和創(chuàng)新觀點(diǎn)的表意明確、實(shí)在的小短文，切忌寫成背景交代或“中心思想”，100－200字為宜。

4.關(guān)鍵詞：3－5個(gè)，以分號(hào)相隔，選擇與文章核心內(nèi)容相關(guān)的具有獨(dú)立性的實(shí)在詞。

5.正文標(biāo)題：內(nèi)容應(yīng)簡(jiǎn)潔、明了，層次不宜過(guò)多，層次序號(hào)為一、（一）、1、（1），層次少時(shí)可依次選序號(hào)。

6.正文文字：一般不超過(guò)1萬(wàn)字，正文用小4號(hào)宋體，通欄排版。

7.數(shù)字用法：執(zhí)行GB/T15835－1995《出版物上數(shù)字用法的規(guī)定》，凡公元紀(jì)年、年代、年、月、日、時(shí)刻、各種記數(shù)與計(jì)量等均采用阿拉伯?dāng)?shù)字；夏歷、清代及其以前紀(jì)年、星期幾、數(shù)字作為語(yǔ)素構(gòu)成的定型詞、詞組、慣用語(yǔ)、縮略語(yǔ)、臨近兩數(shù)字并列連用的概略語(yǔ)等用漢字?jǐn)?shù)字。

8.圖表：文中盡量少用圖表，必須使用時(shí)，應(yīng)簡(jiǎn)潔、明了，少占篇幅，圖表均采用黑色線條，分別用阿拉伯?dāng)?shù)字順序編號(hào)，應(yīng)有簡(jiǎn)明表題（表上）、圖題（圖下），表中數(shù)據(jù)應(yīng)注明資料來(lái)源。

9.注釋：注釋主要包括釋義性注釋和引文注釋，集中列于文末參考文獻(xiàn)之前。釋義性注釋是對(duì)論著正文中某一特定內(nèi)容的進(jìn)一步解釋或補(bǔ)充說(shuō)明；引文注釋包括各種不宜列入文后參考文獻(xiàn)的引文和個(gè)別文后參考文獻(xiàn)的節(jié)略形式，其序號(hào)為①②③……。

10.參考文獻(xiàn)：參考文獻(xiàn)是作者撰寫論著時(shí)所引用的已公開(kāi)發(fā)表的文獻(xiàn)書目，是對(duì)引文作者、作品、出處、版本等情況的說(shuō)明，文中用序號(hào)標(biāo)出，詳細(xì)引文情況按順序排列文尾。以單字母方式標(biāo)識(shí)以下各種參考文獻(xiàn)類型：普通圖書[M]，會(huì)議論文[C]，報(bào)紙文章[N]，期刊文章[J]，學(xué)位論文[D]，報(bào)告[R]，標(biāo)準(zhǔn)[S]，專利〔P〕，匯編[G]，檔案[B]，古籍[O]，參考工具[K]，其他未說(shuō)明文獻(xiàn)〔Z〕。格式與示例如下：

（1）圖書類格式：[序號(hào)]主要責(zé)任者.文獻(xiàn)題名:其他題名信息(任選)[文獻(xiàn)類型標(biāo)識(shí)].其他責(zé)任者(任選).出版地:出版者,出版年:起止頁(yè)碼.

（2）期刊文章格式：[序號(hào)]主要責(zé)任者.文獻(xiàn)題名[J].刊名(建議外文刊名后加ISSN號(hào)),年,卷(期):起止頁(yè)碼.

（3）報(bào)紙文章格式：[序號(hào)]主要責(zé)任者.文獻(xiàn)題名[N].報(bào)紙名,出版日期(版次).

（4）古籍格式：[序號(hào)]主要責(zé)任者.文獻(xiàn)題名[O].其他責(zé)任者(包括校、勘、注、批等).刊行年代(古歷紀(jì)年)及刊物機(jī)構(gòu)(版本).收藏機(jī)構(gòu).

（5）析出文獻(xiàn)格式：[序號(hào)]析出文獻(xiàn)主要責(zé)任者.析出文獻(xiàn)題名[文獻(xiàn)類型標(biāo)識(shí)]//原文獻(xiàn)主要責(zé)任者(任選).原文獻(xiàn)題名.出版地:出版者,出版年:析出文獻(xiàn)起止頁(yè)碼.

（6）電子文獻(xiàn)格式：主要責(zé)任者.文獻(xiàn)題名[文獻(xiàn)類型標(biāo)識(shí)/載體類型標(biāo)識(shí)].出處或可獲得地址，發(fā)表或更新日期/引用日期（任選）.

（7）文獻(xiàn)重復(fù)引用標(biāo)記：同一作者的同一文獻(xiàn)被多次引用時(shí)，在文后參考文獻(xiàn)中只出現(xiàn)一次,其中不注頁(yè)碼；而在正文中標(biāo)注首次引用的文獻(xiàn)序號(hào)，并在序號(hào)的角標(biāo)外著錄引文頁(yè)碼。

11．基金項(xiàng)目：獲得國(guó)家基金資助和省部級(jí)科研項(xiàng)目的文章請(qǐng)注明基金項(xiàng)目名稱及編號(hào)，按項(xiàng)目證明文字材料標(biāo)示清楚。

12．作者簡(jiǎn)介：姓名（出生年-），性別，民族（漢族可省略），籍貫，現(xiàn)供職單位全稱及職稱、學(xué)位，研究方向。

13.來(lái)稿請(qǐng)注明作者電話、E-mail，收刊人及詳細(xì)地址、郵編。

14．其他：請(qǐng)勿一稿兩發(fā)，并請(qǐng)自留原稿，本刊概不退稿。

半導(dǎo)體學(xué)報(bào)雜志范例

一種采用斬波穩(wěn)零技術(shù)的16位,96kHz帶寬Σ-ΔAD轉(zhuǎn)換器

雙勢(shì)壘量子阱薄膜力電耦合特性實(shí)驗(yàn)

氮摻雜對(duì)單壁碳納米管的非平衡電子輸運(yùn)特性的影響

采用銦束流保護(hù)下的調(diào)制中斷生長(zhǎng)技術(shù)改善(0001)GaN表面形貌

微區(qū)中MBE共度生長(zhǎng)SiGe/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)的應(yīng)變和退火效應(yīng)

InGaN混溶隙的計(jì)算

襯底溫度和生長(zhǎng)速率對(duì)MBE自組織生長(zhǎng)InxGa1-xAs/GaAsQD的影響

GaAs(100)熱退火表面的變角XPS定量分析

Ge/Si(100)界面互擴(kuò)散的喇曼光譜

硅、鍺和氬離子注入富硅二氧化硅的電致發(fā)光

在硅襯底上用HFCVD法生長(zhǎng)的納米SiC薄膜及其室溫光致發(fā)光

Si基熱氧化Si1-x-yGexCy薄膜的室溫光致發(fā)光特性

弛豫SiGe外延層的UHV/CVD生長(zhǎng)

用SIPOS-SiO2復(fù)合層對(duì)4H-SiCn+pp+結(jié)構(gòu)鈍化的分析

中子輻照下的6H-SiCpn結(jié)電特性分析